Имеются направления усовершенствования параметров, характерные и специфичные именно для солнечных элементов данного типа. Например, замена слоя Cu₂S слоем InP или CuInSe₂ приводит к значительному увеличению коэффициента собирания, уменьшение плотности состояний в области гетероперехода (постоянные кристаллической решетки сульфида кадмия и этих материалов весьма близки), а при использовании вместо сульфида меди теллурида хрома удается существенно улучшить стабильность характеристик тонкопленочных элементов во времени, хотя, конечно, основную роль в увеличении срока службы таких элементов при длительной эксплуатации играет применение многослойных просветляющих и защитных покрытий. Для увеличения производительности процесса получения слоя сульфида кадмия и его удешевления успешно используется вместо испарения в квазизамкнутом объеме метод химической пульверизации на воздухе или нанесение с помощью газотранспортных реакций.

Электрофизические и оптические свойства большого числа гетеросистем на основе полупроводниковых соединений A^IIS^vi, предложенных для создания тонкопленочных солнечных элементов, таких, как p-ZnTe — п-CdSe, p-ZnTe — n-CdTe, p-CdTe — n-CdS, p-CdTe — п-ZnSe, p-CdTe — n-CdZnS и др., достаточно подробно описаны в ряде опубликованных работ. У солнечных элементов на основе этих систем КПД пока еще ниже, чем у гетеросистемы сульфид меди — сульфид кадмия, однако некоторые из них, например солнечные элементы структуры p-CdTe — n-CdS, привлекают внимание низким температурным градиентом падения мощности и стабильностью характеристик.

Высокий КПД (16 % для условий AM0) получен советскими и зарубежными исследователями в комбинированной монокристаллическо-тонкопленочной гетероструктуре, образованной соединениями A¹¹¹B^v и A¹¹B^vi, нанесенными в такой последовательности: на монокристаллической подложке из фосфида индия создается эпитаксиальный слой того же материала, на который затем напыляется пленка сульфида кадмия в квазизамкнутом объеме в вакууме. Широкому использованию таких солнечных элементов препятствует высокая стоимость фосфида индия.

Существуют планы крупномасштабного применения тонкопленочных элементов гетеросистемы сульфид меди — сульфид кадмия и ее модификаций в наземной солнечной энергетике, но в настоящее время эти элементы применяют на практике в основном как малогабаритные и очень чувствительные детекторы ультрафиолетового и видимого излучения Солнца и искусственных источников света (рис. 4.8).

Рис. 4.8. Спектральная чувствительность фронтально-барьерных солнечных элементов, полученных испарением в вакууме слоя селенида (1) и сульфида (2–6) меди на базовые слои из различных полупроводниковых соединении

1, 2 — CdS; 3 — Zn_0,1Cd₀,₉S; 4 — Zn₀,₁₅Gd_0,85S; 5 — Zn_0,4Cd₀,₆S; 6 — ZnS

Солнечные элементы из арсенида галлия

с гомо- и гетеропереходами

К арсениду галлия с середины 50-х годов, когда начались активные исследования в области фотоэлектричества, привлечено внимание большого числа ученых и инженеров, поскольку в солнечных элементах из этого полупроводникового материала с гомогенным p-n-переходом сразу удалось получить достаточно высокий КПД преобразования солнечного излучения в электроэнергию (η=4÷6 %). Создание p-n-перехода осуществлялось диффузией примеси р-типа — кадмия (впоследствии цинка) — в исходные пластины n-типа.

Несмотря на некоторые недостатки (хрупкость, большая плотность), у арсенида галлия имеются несомненные преимущества перед кремнием. В силу большой ширины запрещенной зоны способность арсенида галлия преобразовывать длинноволновое солнечное излучение ограничена (арсенид галлия поглощает излучение с длиной волны менее 0,9 мкм). Однако это же обстоятельство приводит к существенно меньшим значениям обратного тока насыщения I_o=10^-9÷10^-1°A∕cм² (в то время как у солнечных элементов из кремния I₀=10^-6÷10^-7 А/см²), что, в свою очередь, дало возможность в настоящее время получить большие, чем у кремниевых солнечных элементов, значения напряжения холостого хода U_x.x (0,7–0,8 В для p-n-перехода в гомогенном материале) и достаточно высокий КПД даже для серийно выпускаемых элементов (10–12 % при измерениях на имитаторах внеатмосферного солнечного излучения). Эти же особенности данного полупроводникового материала обусловливают значительно более медленное падение КПД с ростом температуры, составляющее у солнечных элементов из арсенида галлия 0,25 %/^oC (у кремниевых элементов 0,45—0,46 %/°C).