Микросхемы с буферированным программированием или страничной записью (Fast Page Write) могут не иметь в своей системе команд отдельной операции стирания сектора. Внутренняя операция стирания (и предварительного обнуления сектора) выполняется при страничном программировании.

Для защиты от случайного выполнения ключевые последовательности команд содержат от 2 до 6 шинных циклов, причем у них может быть важен и адрес (как в микросхемах AMD). Методы защиты секторов имеют различную как программную, так и аппаратную реализацию. Для временного снятия защиты используют различные способы, одним из которых является ключевая последовательность семи шинных циклов чтения.

Микросхемы флэш-памяти Micron совместимы с Intel и обозначаются аналогично, но начинаются с признака MT28F. Среди них есть и особенные, например: MT28F321P2FG — 2 М×16 Page Flash Memory, MT28F322D18FH — 2 М×16 Burst Flash Memory.

Фирма Silicon Storage Technology выпускает разнообразные микросхемы флэш-памяти с одним напряжением питания для всех операций. Их свойства можно определить по обозначению вида SST xx YY zzz — ttt, где xx — семейство:

♦ 28 — побайтное программирование, посекторное стирание;

♦ 29 — страничное программирование с прозрачным стиранием (команда стирания сектора отсутствует, внутренняя операция выполняется автоматически перед записью страницы в массив).

Элемент YY задает функциональный тип и напряжение питания:

♦ ЕЕ — EEPROM-совместимые, выполнение одной инструкции, V_CC = 5 В;

♦ LE — то же, что и ЕЕ, V_CC = 3 В;

♦ VE — то же, что и ЕЕ, V_CC = 2,7 В;

♦ SF — операции Super Flash Command Register, V_CC = 5 В;

♦ LF — то же, что и SF, V_CC = 3 В;

♦ VF — то же, что и SF, V_CC = 2,7 В;

♦ DM — Disk Media (для флэш-дисков, требует внешнего контроллера), V_CC = 5 В;

♦ LM — то же, что и DM, V_CC = 3 В;

♦ VM — то же, что и DM, V_CC = 2,7 B;

♦ PC — PCMCIA (интерфейс и протоколы), V_CC = 5 В.

Элемент zzz задает объем микросхемы:

♦ 512 — 512 Кбит (64 К×8);

♦ 010 — 1 Мбит (128 К×8);

♦ 040 — 4 Мбит (512 К×8);

♦ 080 — 8 Мбит (1 М×8);

♦ 016 — 16 Мбит (2 М×8);

♦ 032 — 32 Мбит (4 М×8).

Элемент ttt задает время доступа при чтении.

Микросхемы SST29EE010, 29LE010 и 29VE010, часто применяемые в качестве носителя флэш-BIOS, организованы как 1024 страницы по 128 байт с программной и аппаратной защитой. Каждая страница может быть защищена независимо от других. Временные диаграммы стирания и программирования, а также необходимое напряжение программирования генерируются внутри микросхемы. Окончание операции определяется по алгоритму Toggle Bit или Data# Polling.

Аналогичные параметры имеют микросхемы 29ЕЕ011, 29LE011, 29VE011 фирмы Winbond.

7.3.3. Энергонезависимая память с последовательными интерфейсами

Для микросхем энергонезависимой памяти малого объема, от которых не требуется высокой производительности обмена данными, часто применяют последовательные интерфейсы. Это позволяет упаковывать микросхемы памяти любого объема в корпуса, имеющие минимальное число выводов (рис. 7.23, 7.24, табл. 7.29). С таким интерфейсом выпускаются микросхемы EEPROM, FRAM и флэш-памяти. Микросхемы EEPROM и флэш-памяти выполняют внутренние операции записи автономно; о завершении выполнения операции можно судить по результатам опроса ее состояния. Более сложные микросхемы имеют блочную организацию и средства управления доступом к каждому блоку с помощью программируемых регистров состояния и внешнего вывода управления записью (программированием). Микросхемы FRAM выполняют все операции на скорости интерфейса (на то они и RAM). Существуют модификации микросхем, позволяющие блокировать запись данных пользователем в определенную область (или всю микросхему, что превращает ее в ROM). Вывод управления защитой у разных типов микросхем функционирует и называется по-разному: WP# — Write Protect, WC — Write Control, PP — Programm Protect. Для выбора микросхемы используются либо входы задания внутреннего адреса А[0:2], либо сигнал выборки CS#, с помощью которого контроллер может обратиться к одному из требуемых устройств. Для упрощения внешних схем могут использоваться и несколько сигналов выборки S[0:2], один из которых (S1) иногда инвертирован.

Рис. 7.23. Назначение выводов микросхем EEPROM с интерфейсом I²C: а — 24Схх, б — 24F016, в — 24F128, г — X76F041

Рис. 7.24. Назначение выводов микросхем FRAM: а — FM24C256, б — FM25640

Таблица 7.29. Популярные микросхемы памяти с последовательным интерфейсом