Читаем Аппаратные интерфейсы ПК полностью

♦ Sector Erase — стирание сектора или группы секторов. Стирание начинается через 80 мкс после окончания последнего шинного цикла цепочки. До этого момента можно посылать цепочки команд стирания других секторов, выполнение начнется через 80 мкс после окончания последней цепочки. Если среди указанных секторов имеется защищенный, его стирание не выполняется. На время выполнения стирания чтение по адресу любого из стираемых секторов (кроме защищенных) выводит биты состояния. Бит DQ3 — Sector Erase Timer — указывает на начало выполнения стирания сектора (очередную последовательность команд стирания сектора можно начинать, пока бит 3=0).

Следующим этапом стала секторированная флэш-память Am29LVxxx с одним питающим напряжением (3,0 В) для всех операций. У этих микросхем защита любого сектора также устанавливается с помощью программатора стандартной микросхемы EPROM, а также возможно временное снятие защиты в целевой системе. Кроме программной индикации окончания операции (биты 5–7, считанные по адресу ячейки), имеется и аппаратная (сигнал RY/BY#). Также имеется сигнал аппаратного сброса, переводящий в режим чтения.

Вышеперечисленные микросхемы имеют традиционную архитектуру NOR. От них значительно отличается микросхема Am30LV0064D — 64 Мбит (8 М×8) с архитектурой UltraNAND, обеспечивающей быстрый последовательный доступ к данным выбранной страницы. Каждая страница имеет 512 байт данных и 16 дополнительных байт, используемых, например, для хранения ЕСС-кода. Для выбора страницы при чтении (загрузки во внутренний 528-байтный регистр) требуется около 7 мкс, после чего данные считываются последовательно со скоростью до 20 Мбайт/с (50 нс/байт). Таким образом, среднее время на чтение одного байта составляет всего 65 нс. Для записи данные (страница полностью или частично) загружаются в регистр с той же скоростью, после чего запись их в массив хранящих ячеек требует всего 200 мкс. Таким образом, среднее время на запись одного байта составляет всего 430 нс — в 20 раз быстрее обычной (NOR) флэш-памяти (скорость записи 2,3 Мбайт/с). Стирание выполняется блоками по 8 Кбайт за 2 мс (в обычной — 600 мс). Микросхема питается от 3 В. Планируется достижение объема микросхемы до 1 Гбит. Надежность хранения — 10 лет, 10⁴ циклов безошибочного программирования, более 10⁶ циклов программирования с коррекцией ошибок. Применение — «твердые диски», цифровые камеры, диктофоны и т. п.

Флэш-память других фирм

Микросхемы флэш-памяти выпускаются многими фирмами. Они различаются по организации, интерфейсу, напряжению питания и программирования, методам защиты и другим параметрам. Лидеры в области разработки и производства флэш-памяти — фирмы AMD, Fujitsu Corporation, Intel Corporation и Sharp Corporation летом 1996 года приняли спецификацию CFI (Common Flash Memory Interface Specification), обеспечивающую совместимость разрабатываемого программного обеспечения с существующими и разрабатываемыми моделями флэш-памяти. Эта спецификация определяет механизм получения информации о производителе, организации, параметрах и возможных алгоритмах программирования микросхем флэш-памяти. Для этого микросхемы флэш-памяти должны поддерживать команду опроса QUERY. В первом шинном цикле в микросхему по адресу 55h посылается код 98h (микросхема может и игнорировать адрес, «отзываясь» только на код данных 98h). Во втором шинном цикле, адресованном к этой микросхеме, выполняется чтение данных идентификационной структуры (на шину адреса микросхемы подается адрес интересующего байта структуры). Этими парами циклов структура может быть считана в произвольном порядке. Идентификационная структура содержит:

♦ ключ-признак наличия структуры — цепочка символов «QRY»;

♦ идентификатор (2 байта) первичного набора команд и интерфейса программирования;

♦ указатель на таблицу параметров для программирования (и саму таблицу);

♦ идентификатор, указатель и таблицу параметров альтернативного набора команд и интерфейса (если имеется);

♦ минимальные и максимальные значения напряжений питания (основного и программирующего);

♦ значение тайм-аутов для операций стирания (блока и всей микросхемы) и записи (байта, слова, буфера);

♦ объем памяти;

♦ максимальное число байтов для многобайтной записи;

♦ описания независимо стираемых блоков.

Для перевода в режим чтения массива микросхемы должны воспринимать команду чтения массива Read Array — запись кода FFh (F0h) по любому адресу в микросхеме.

Для большинства изделий справедливы тенденции, описанные при рассмотрении микросхем Intel и AMD, а именно — повышение объема, снижение напряжений питания и потребляемой мощности, повышение производительности и упрощение внешнего интерфейса для операций стирания и программирования. По интерфейсу программирования микросхемы, у которых в начальной части обозначения стоит число «28», как правило, близки к флэш- памяти Intel, а с числом «29» — к флэш-памяти AMD.